이번 포스팅은 1년간 약 250 명 정도의 멘티들을 만나면서, 최종 합격 한 멘티들의 자소서의 공통된 내용들을 축약 하여
글로 정리 하고자 한다. 이 글은 자소서를 쓰는 정답도 아니고 온전히 나의 경험을 정리 해 놓은 글이기 때문에 참조만 하면 좋을 것 같다.
삼성전자 공정기술 업무를 먼저 이해하자
내가 생각 하기에 자기소개 작성을 할 때에 가장 우선시 되어야 할 부분은 공정기술 업무가 어떻게 진행 되는지 이해 하는 부분인 것 같다.
나와 코멘토 수업을 진행 한 멘티들, 그리고 지금 진행 하고 있는 멘티들은 잘 알고 있을 것이다.
보통 반도체 회사들의 단위공정 엔지니어들은 수율 관리 부서에서 Process control monitoring data와 수율 Data의 상관 분석을 통하여 개선 해야 할 부분을 도출 해 내면 관련 된 단위 공정 엔지니어들이 공정 Split 평가를 통하여 수율 개선 까지 확인 한다.
예를 들어 NMOS FET의 Threshold voltage 가 낮아지면서 수율이 높아지는 상관성을 확인 하면, 각 단위 공정 엔지니어들은 MOSFET의 Threshold voltage를 높히기 위한 공정 Tuning을 진행 할 것이다.
예를 들면 현업에서 Gate Oxidation 두께를 상향 한다던지, LDD IMP의 Dopping 농도를 높혀 Channel의 Inversion을 어렵게 하여 Threshold voltage를 증가시키는 방향으로 공정 개선을 최적화 하여 수율개선 업무를 진행 할 것이다.
단위 공정에 대한 지식, 소자에 대한 이해도
해당 업무에 대한 이해도를 가지고 있다면, 어느정도 내가 자소서에 어필 해야 할 부분을 생각 할 것이다. 보통 자소서에 어필 하여 관심을 끌 수 있는 부분은 업무에 대한 이해도를 바탕으로 한 단위공정 실습 경험, 그 경험이 단순 경험이 아니라 공정 조건 Tuning을 하여 결과 까지 도출 해 낸경험이라면 더더욱 좋을 것이다. 예를 들어 Photo 단위 공정을 실습 하였는데 Critical Dimension size에 따른 또는 Focusing에 따른 CD 차이라던지.. 또한 공정 실습이 별도로 없다면 학부에서 진행 하는 공정 실습이라도 좋은 성적을 받았다면 어필 하는 것이 좋을 것이다.
또한 Mosfet과 같은 개별 소자를 제작 하여 drain, gate,source, body에 각 조건을 인가 하여 Vt, Idsat과 같은 소자 특성을 측정 해본 경험이 있으면 좋을 것 같다는 생각이 든다. 왜냐하면 단위공정 엔지니어들의 수율 개선의 첫번 째는 이 소자의 특성을 개선 하기위한 Data로 부터 시작 되기 때문이다.
내 자신의 장점을 어필 하자
이건 지극히 내 생각인데..회사의 잘난점을 단순 나열 하는 자소서를 작성 하기 보단, 하나라도 내 장점을 더 어필할수 있는 내용을 작성 했으면 좋겠다. 예를 들어 삼성전자 1번 항목 같은 경우에도 회사에 들어가 Foundary Global No.1을 달성 한다는 좀 포괄 적인 내용 보다는 내가 그 안에서 어떤일을 더 잘 할수 있는지 어필을 하면 좋을 것 같다.
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